R1LP5256ESA-5SI#S1
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
RENESAS
Περιγραφή:
R1LP5256 - 256Kb προηγμένη LPSRAM
Κατηγορία:
Μνήμη
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Συμπλέκτες (IC)
Μνήμη
Μνήμη
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τύπος στερέωσης:
Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο:
Χύδην
Σειρά:
R1LP5256E
Διασύνδεση μνήμης:
Παράλληλο
Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα:
55n
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
28-TSOP I
Τύπος μνήμης:
Επικίνδυνα
Δρ.:
RENESAS
Μέγεθος μνήμης:
256Kbit
Πρόσθετη τάση:
4.5V ~ 5.5V
Πακέτο / Κουτί:
28-TSSOP (0,465", 11,80mm πλάτος)
Οργάνωση μνήμης:
32K x 8
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Τεχνολογία:
SRAM - Ασύγχρονη
Χρόνος πρόσβασης:
55 μs
Φόρμα μνήμης:
SRAM
Εισαγωγή
SRAM - Ασύγχρονη μνήμη IC 256Kbit Παράλληλη 55 ns 28-TSOP I
Συγγενικά προϊόντα
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: