W25R512NWEIQ TR
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
Ηλεκτρονικά Winbond
Περιγραφή:
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
Κατηγορία:
Μνήμη
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Συμπλέκτες (IC)
Μνήμη
Μνήμη
Μέγεθος μνήμης:
512Mbit
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τύπος στερέωσης:
Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο:
Ταινία και τροχό (TR)
Σειρά:
-
DigiKey Προγραμματιζόμενο:
Επιβεβαιώθηκε
Διασύνδεση μνήμης:
ΠΕΠ
Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα:
-
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
8-WSON (8x6)
Τύπος μνήμης:
Μη πτητικά
Δρ.:
Ηλεκτρονικά Winbond
Συχνότητα ρολογιού:
133 MHz
Πρόσθετη τάση:
1.7V ~ 1.95V
Πακέτο / Κουτί:
8-WDFN εκτεθειμένη θήκη
Οργάνωση μνήμης:
-
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40 °C ~ 85 °C
Τεχνολογία:
ΦΛΑΣΧ - Ούτε
Αριθμός βασικού προϊόντος:
W25R512
Φόρμα μνήμης:
Φλας
Εισαγωγή
Flash - NOR Μνήμη IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WSON (8x6)
Συγγενικά προϊόντα
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: