W971GG6NB-18I
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
Ηλεκτρονικά Winbond
Περιγραφή:
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
Κατηγορία:
Μνήμη
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Συμπλέκτες (IC)
Μνήμη
Μνήμη
Μέγεθος μνήμης:
1Gbit
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τύπος στερέωσης:
Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο:
Τραπέζι
Σειρά:
-
DigiKey Προγραμματιζόμενο:
Δεν επαληθεύτηκε
Διασύνδεση μνήμης:
SSTL_18
Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα:
15n
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
84-TFBGA (8x12.5)
Τύπος μνήμης:
Επικίνδυνα
Δρ.:
Ηλεκτρονικά Winbond
Συχνότητα ρολογιού:
533 MHZ
Πρόσθετη τάση:
1.7V ~ 1.9V
Χρόνος πρόσβασης:
58.125 ns
Πακέτο / Κουτί:
84-TFBGA
Οργάνωση μνήμης:
64M X 16
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40°C ~ 95°C (TC)
Τεχνολογία:
SDRAM - DDR2
Αριθμός βασικού προϊόντος:
W971GG6
Φόρμα μνήμης:
DRAM
Εισαγωγή
SDRAM - DDR2 Μνήμη IC 1Gbit SSTL_18 533 MHz 58.125 ns 84-TFBGA (8x12.5)
Συγγενικά προϊόντα
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: