Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
Η Renesas Electronics America Inc.
Περιγραφή:
SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40
Κατηγορία:
Μνήμη
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Συμπλέκτες (IC)
Μνήμη
Μνήμη
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τύπος στερέωσης:
Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο:
Ταινία και τροχό (TR)
Σειρά:
-
Διασύνδεση μνήμης:
Παράλληλο
Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα:
55n
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
48-TFBGA (7,5x8,5)
Τύπος μνήμης:
Επικίνδυνα
Δρ.:
Η Renesas Electronics America Inc.
Μέγεθος μνήμης:
32Mbit
Πρόσθετη τάση:
2.7V ~ 3.6V
Πακέτο / Κουτί:
48-TFBGA
Οργάνωση μνήμης:
4M X 8, 2M X 16
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Τεχνολογία:
SRAM - Ασύγχρονη
Χρόνος πρόσβασης:
55 μs
Φόρμα μνήμης:
SRAM
Εισαγωγή
SRAM - Ασύγχρονη μνήμη IC 32Mbit Παράλληλη 55 ns 48-TFBGA (7,5x8,5)
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: