Φίλτρα
Φίλτρα
Μνήμη
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Αποθέματα | Επικεφαλής | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
70T631S10BF8 |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
S26KL256SDABHB030 |
IC FLASH 256MBIT PAR 24FBGA
|
Ημιαγωγός Corp κυπαρισσιών
|
|
|
|
|
|
Ε28F020120 |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32TSOP
|
Πληροφορίες
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα, τα κράτη μέλη μπορούν να επιβάλλουν τα ακόλουθα μέτρα: |
IC Flash 4MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
SST26VF020A-104I/SN |
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
IS42S16800F-7BL-TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
ISSI, ενσωματωμένο Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS43DR81280B-25DBL |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
|
ISSI, ενσωματωμένο Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
Εφαρμογή του AS6C2008-55TIN |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I
|
Μνήμη συμμαχίας, Α.Ε.
|
|
|
|
|
|
7130SA100CB |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
S25FL512SDPMFI013 |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
MX25R512FBFIL0 |
IC FLASH 512KBIT SPI/QUAD 8WLCSP
|
Macronix
|
|
|
|
|
|
NDL86PFG-9MIT TR |
DDR3L 8GB X16 FBGA 9X13(X1.2) 18
|
Εταιρεία τεχνολογίας Insignis
|
|
|
|
|
|
S25FL216K0PMFI010 |
IC Flash 16MBIT SPI/DUAL 8SOIC
|
Ημιαγωγός Corp κυπαρισσιών
|
|
|
|
|
|
25LC256-E/SN |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
MX25U2033EZBI-12G |
IC Flash 2MBIT SPI/QUAD 8USON
|
Macronix
|
|
|
|
|
|
IS42S16400J-5TL |
ΙΣΟΤΙΜΊΑ 54TSOP ΙΙ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟΥ ΚΥΚΛΏΜΑΤΟΣ DRAM 64MBIT
|
ISSI, ενσωματωμένο Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V3556S166PFGI |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
S25HL512TDPBHM010 |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
25LC040AT-E/ST |
IC EEPROM 4KBIT SPI 10MHZ 8TSSOP
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
|
Ημιαγωγός Corp κυπαρισσιών
|
|
|
|
|
|
MT40A512M16LY-062E AUT: Ε |
ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟ ΚΎΚΛΩΜΑ DRAM 8GBIT ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 96FBGA
|
Micron Technology Inc.
|
|
|
|
|
|
ΑΤ28ΒV64Β-20JU |
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
Βλέπε παρακάτω παραδείγματα: |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP
|
ROHM ημιαγωγός
|
|
|
|
|
|
IS43R16320D-5BLI |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
|
ISSI, ενσωματωμένο Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
24FC256T-I/SM |
IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIJ
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
23Α512-Ε/Π |
IC SRAM 512KBIT SPI/QUAD 8DIP
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
|
Ημιαγωγός Corp κυπαρισσιών
|
|
|
|
|
|
CY7C1021B-12ZC |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
|
Ημιαγωγός Corp κυπαρισσιών
|
|
|
|
|
|
Sst25vf016b-50-4i-S2AF |
IC Flash 16MBIT SPI 50MHZ 8SOIC
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
W989D2DBJX6I TR |
ΙΣΟΤΙΜΊΑ 90VFBGA ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟΥ ΚΥΚΛΏΜΑΤΟΣ DRAM 512MBIT
|
Ηλεκτρονικά Winbond
|
|
|
|
|
|
IS46R16160F-6TLA2-TR |
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
|
ISSI, ενσωματωμένο Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S26KS256SDGBHA030 |
S26KS256S - Παράλληλο ή υπερφυσικό
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
ΜΤ2ΜΤ2ΜΤ2ΜΤ2ΜΤ2ΜΤ2ΜΤ2ΜΤ2ΜΤ2ΜΤ2ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4 |
LPDDR5 64G 2GX32 FBGA
|
Micron Technology Inc.
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα, οι εν λόγω ουσίες πρέπει να χρησιμοποιούνται κατά τη διάρκεια της περιόδου δοκιμής. |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
|
ISSI, ενσωματωμένο Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MX25R8035FBHIH2 |
IC Flash 8MBIT SPI/QUAD 8WLCSP
|
Macronix
|
|
|
|
|
|
MX25U8035EM2I-10G |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP
|
Macronix
|
|
|
|
|
|
CY7C1020B-12VXCT |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
|
Ημιαγωγός Corp κυπαρισσιών
|
|
|
|
|
|
Οδηγία 2009/72/ΕΚ του Ευρωπαϊκού Κοινοβουλίου και του Συμβουλίου, της 17ης Ιουνίου 2009, σχετικά με την προστασία των καταναλωτών από την τρομοκρατία (ΕΕ L 347 της 20.11.2009, σ. 1). |
Η μνήμη SRAM QDR, 2MX18, 0,45NS
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
24AA04H-I/P |
IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8DIP
|
Τεχνολογία μικροτσίπ
|
|
|
|
|
|
7132LA25JGI8 |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
ΜΤ2ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ3ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4ΜΤ4 |
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
|
Micron Technology Inc.
|
|
|
|
|
|
S25FL128SAGBHI210 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
At25xe011-sshn-τ |
IC Flash 1MBIT SPI 104MHZ 8SOIC
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
S25FL512SAGMFIG11 |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
S29GL064S70FHI020 |
IC Flash 64MBIT PARALLEL 64FBGA
|
Ινφίνιον Τεχνολογίες
|
|
|
|
|
|
M95128-RDW6TP |
IC EEPROM 128KBIT SPI 8TSSOP
|
STMικροηλεκτρονική
|
|
|
|
|
|
W632GU8NB-15 TR |
IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
|
Ηλεκτρονικά Winbond
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα, οι διατάξεις του παρόντος κανονισμού ισχύουν για τα οχήματα που χρησιμοποιούνται για την κατασκευή οχημάτων. |
EEPROM, 32KX8, σειρά
|
Η Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
Ειδικότερα: |
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
|
ISSI, ενσωματωμένο Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
ΑΣ7C256Α-15JCNTR |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
|
Μνήμη συμμαχίας, Α.Ε.
|
|
|