Δοκιμαστικό υλικό
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
Rochester Electronics, LLC
Περιγραφή:
RMLV0414EGS - 4Mb Προχωρημένο LPSRA
Κατηγορία:
Μνήμη
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Συμπλέκτες (IC)
Μνήμη
Μνήμη
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τύπος στερέωσης:
Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο:
Χύδην
Σειρά:
-
Διασύνδεση μνήμης:
Παράλληλο
Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα:
45ns
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
44-TSOP II
Τύπος μνήμης:
Επικίνδυνα
Δρ.:
Rochester Electronics, LLC
Μέγεθος μνήμης:
4Mbit
Πρόσθετη τάση:
2.7V ~ 3.6V
Πακέτο / Κουτί:
44-TSOP (πλάτος 0,400», 10.16mm)
Οργάνωση μνήμης:
256K x 16
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Τεχνολογία:
SRAM - Ασύγχρονη
Χρόνος πρόσβασης:
45 ns
Φόρμα μνήμης:
SRAM
Εισαγωγή
SRAM - Ασύγχρονη μνήμη IC 4Mbit Παράλληλη 45 ns 44-TSOP II
Συγγενικά προϊόντα
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα με κινητήρα κινητήρα.
RMLV0816BGB - 8Mb Advanced LPSRA
S25FL128SDPMFIG00
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
RMWV6416AGSA-5S2#AA0
RMWV6416AGS - 64Mb Advanced LPSR
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα με κινητήρα κινητήρα. |
RMLV0816BGB - 8Mb Advanced LPSRA
|
|
|
|
S25FL128SDPMFIG00 |
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
|
|
|
|
RMWV6416AGSA-5S2#AA0 |
RMWV6416AGS - 64Mb Advanced LPSR
|
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: