RMWV6416AGSA-5S2#AA0
![ποιότητας [#varpname#] εργοστάσιο](/images/load_icon.gif){kind=icon}
κατασκευαστής:
Rochester Electronics, LLC
Περιγραφή:
RMWV6416AGS - 64Mb Advanced LPSR
Κατηγορία:
Μνήμη
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Συμπλέκτες (IC)
Μνήμη
Μνήμη
Κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τύπος στερέωσης:
Επεξεργασία επιφανείας
Πακέτο:
Χύδην
Σειρά:
-
Διασύνδεση μνήμης:
Παράλληλο
Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα:
55n
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
48-TSOP Ι
Τύπος μνήμης:
Επικίνδυνα
Δρ.:
Rochester Electronics, LLC
Μέγεθος μνήμης:
64Mbit
Πρόσθετη τάση:
2.7V ~ 3.6V
Πακέτο / Κουτί:
48-TFSOP (0,724", 18,40mm πλάτος)
Οργάνωση μνήμης:
4M x 16
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Τεχνολογία:
SRAM - Ασύγχρονη
Χρόνος πρόσβασης:
55 μs
Φόρμα μνήμης:
SRAM
Εισαγωγή
SRAM - Ασύγχρονη μνήμη IC 64Mbit Παράλληλη 55 ns 48-TSOP I
Συγγενικά προϊόντα
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα με κινητήρα κινητήρα.
RMLV0816BGB - 8Mb Advanced LPSRA
S25FL128SDPMFIG00
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
Δοκιμαστικό υλικό
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα οχήματα με κινητήρα κινητήρα. |
RMLV0816BGB - 8Mb Advanced LPSRA
|
|
|
|
S25FL128SDPMFIG00 |
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
|
|
|
|
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
|
|
|
|
Δοκιμαστικό υλικό |
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
|
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο: